一起,电子和空穴也可以在催化剂粒子内部（途径 B）或外表(途径 A）产生复合并以热量的方法将激起能释 放。电子和空穴的复合进程会下降光催化反响的量子功率，对光催化反响非常晦气。 因而，光催化反响的量子功率取决于载流子的复合几率，载流子复合进程则首要依据两个要素：一为载流 子在催化剂内部或外表的复合几率；其二为外表电荷搬迁进程。进步外表电荷搬迁速率可以按捺电荷载流子 复合，添加光催化反响的量子功率。

  时,半导体的价带电子产生带间跃迁,即从价带跃迁到导带，由此产生光生电子( )和空穴（ ）。空

  穴具有强氧化性,可以与吸附在微粒外表的物质产生反响（a)。电子和空穴经过电场力的效果或分散的方法

  运动搬迁，搬迁到半导体外表的空穴通常被 和 抓获，生成 HO• ，HO• 是一种氧化才能很强的自由基, 简直无挑选地氧化多种有机物，是光催化氧化的首要活性物质，而搬迁到半导体外表的电子通常被吸附在微

  粒外表的电子受体 抓获， 生成 .、HOO• 等一系列自由基，它们可以参加多个氧化复原进程（b)，一般 选用电子自旋捕捉技能（ESR）、荧光光度法(FL)、紫外－可见光度法（UV）等进行盯梢检测。

  半导体光催化剂大多是 n 型半导体资料（当时认为 运用最广泛）都具有差异于金属或绝缘物质的